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IRF9310TRPBF

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Produktcode: 185610
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Infineon Technologies infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
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IRF9310TRPBF International Rectifier/Infineon irf9310pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 4 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95
IRF9310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF9310TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF9310TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
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SYM-001T-P0.6 Kontakt; "Stecker"; 0,08 ÷ 0,33мм2; 28 ÷ 22AWG; RCY, SM, YL; verzinnt; Crimp
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10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3661
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 13265 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1768
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RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 51147 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100000 St.:
100000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
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1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
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SMBJ18A-TR
Produktcode: 26341
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smbj18a.pdf
SMBJ18A-TR
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 21,1 V
Sperrspannung, Vrm: 18 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung 3301 St.:
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