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IRF9333PBF

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Produktcode: 84989

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 07.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.032
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
JHGF: SMD

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF9333 Produktcode: 190631 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	Hersteller : JSMicro	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14 JHGF: SMD	auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	IRF9333PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IRF9333PBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH