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Technische Details IRF9520SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Weitere Produktangebote IRF9520SPBF nach Preis ab 1.46 EUR bis 6.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF9520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9520SPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
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|---|---|
| 58+ | 3.08 EUR |
| 73+ | 2.42 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
| 250+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.64 EUR |
| 74+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.64 EUR |
| 74+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.01 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| 2000+ | 1.8 EUR |
| IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 5.12 EUR |
| 64+ | 2.71 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.06 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 50+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.57 EUR |
| 70+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| IRF9520SPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






