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IRF9520SPBF

IRF9520SPBF Vishay

sihf9520.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 250 Stücke:
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Technische Details IRF9520SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
100+1.3 EUR
250+1.2 EUR
500+1.1 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90EB43D5688143&compId=IRF9520S.pdf?ci_sign=7e95886687fe520691b01205c1beb0973525ade9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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47+3.12 EUR
78+1.81 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf9520.pdf MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 989 Stücke:
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1+3.52 EUR
10+2.04 EUR
100+1.97 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.38 EUR
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.59 EUR
50+2.07 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF9520SPBF IRF9520SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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