IRF9530 Harris Corporation
Hersteller: Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3262 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 222+ | 2.27 EUR |
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Technische Details IRF9530 Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| IRF9530 | Hersteller : HARRIS |
IRF9530 |
auf Bestellung 1667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9530 | Hersteller : HARRIS |
IRF9530 |
auf Bestellung 1583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9530 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9530 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530 Produktcode: 78154
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Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
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