IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 1.14 EUR |
| 1600+ | 0.93 EUR |
| 2400+ | 0.88 EUR |
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Technische Details IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF9530NSTRLPBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
auf Bestellung 1222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A |
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