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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF9530PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9530PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9530PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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