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IRF9530SPBF

IRF9530SPBF

irf9530spbf.pdf
Produktcode: 35683
Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: SMD
verfügbar 6 St.:
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
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Technische Details IRF9530SPBF IR

  • MOSFET, P, 100V, D2-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:12A
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:D2-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:TO-262AB
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • Power Dissipation Pd:88W
  • Pulse Current Idm:48A
  • Voltage Vds:100V
  • Transistor Case Style:D2-PAK

Möglichen Substitutionen IRF9530SPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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Hersteller : VBsemi IRF9530SPBF.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
/: SMD
auf Bestellung 3 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 St.:
100 St. - erwartet 23.04.2026
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF
Produktcode: 192850
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Hersteller : VBsemi IRF9530SPBF.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 12 А
Ciss, pF/Qg, nC: 2765/67
/: SMD
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.48 EUR
106+1.32 EUR
250+1.2 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 98
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : VISHAY IRF9530S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
61+1.19 EUR
71+1.01 EUR
79+0.91 EUR
100+0.84 EUR
250+0.79 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : VISHAY IRF9530S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
40+1.8 EUR
61+1.19 EUR
71+1.01 EUR
79+0.91 EUR
100+0.84 EUR
250+0.79 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329342-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : Vishay sihf9530.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf9530.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9530SPBF IRF9530SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf9530.pdf MOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
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