IRF9610SPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.77 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
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Technische Details IRF9610SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF9610SPBF nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRF9610SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9610SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.8 A, 3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9610SPBF Produktcode: 176781
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRF9610SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9610SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9610SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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