Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

IRF9952TRPBF

irf9952pbfkiyh.pdf
Produktcode: 48739
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 09.06.190
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF9952TRPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.35 EUR
20000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.34 EUR
20000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
12000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irfp048npbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.27 EUR
167+0.85 EUR
231+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9952_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF Infineon Technologies irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.22 EUR
13+1.39 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.42 EUR
8000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.42 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.35 EUR
20000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.42 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.34 EUR
20000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.54 EUR
8000+0.5 EUR
12000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irfp048npbf.pdf
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.27 EUR
167+0.85 EUR
231+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF Infineon_IRF9952_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3
IRF9952TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.22 EUR
13+1.39 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9952TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBF INFN-S-A0004663815-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9952TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH