IRF9953TRPBF Infineon / IR

Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: HEXFET Series, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).