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IRF9953TRPBF

IRF9953TRPBF Infineon / IR


Infineon_IRF9953_DataSheet_v01_01_EN-1732584.pdf Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A
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Technische Details IRF9953TRPBF Infineon / IR

Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: HEXFET Series, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004146215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004146215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9953-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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