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Technische Details IRF9Z14PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF9Z14PBF nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P CHAN 60V |
auf Bestellung 1453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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