IRF9Z24
Produktcode: 1329
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF9Z24 | Hersteller : Siliconix |
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z24 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9Z24 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 |
Produkt ist nicht verfügbar |