IRF9Z24 Siliconix
Hersteller: SiliconixP-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
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| 30+ | 1.45 EUR |
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Technische Details IRF9Z24 Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF9Z24
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF9Z24 Produktcode: 1329 |
Hersteller : IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 /: THT |
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IRF9Z24 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9Z24 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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IRF9Z24 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z24PBF |
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