IRF9Z24NSTRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF9Z24NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRF9Z24NSTRLPBF nach Preis ab 1.26 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC |
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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| IRF9Z24NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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