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IRF9Z24NSTRLPBF

IRF9Z24NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf9z24ns-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF9Z24NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF Infineon / IR Infineon_IRF9Z24NS_DataSheet_v01_00_EN-1732150.pdf MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON 138831.pdf Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Produktpalette: HEXFET
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Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
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Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Description: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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