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Technische Details IRF9Z24SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF9Z24SPBF nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.43 EUR
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 P-CH 60V 11A |
auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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