IRF9Z34NSPBF
Produktcode: 33403
Hersteller: IRGehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.10
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: SMD
verfügbar 171 Stück:
5 Stück - stock Köln
166 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF9Z34NSPBF IR
- MOSFET, P, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:55V
- Current, Id Cont:19A
- On State Resistance:0.1ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Current Temperature:25`C
- Current, Idm Pulse:72A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Power Dissipation:68W
- Power Dissipation Pd:68W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- SMD Marking:IRF9Z24NS
- Transistor Case Style:D2-PAK
Weitere Produktangebote IRF9Z34NSPBF nach Preis ab 0.76 EUR bis 2.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9Z34NSPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
IRF9Z34NSPBF | Hersteller : IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free) |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
IRF9Z34NSPBF | IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||
IRF9Z34NSPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
IRF9Z34NSPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRF9530NPBF Produktcode: 32844 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.3
Ciss, pF/Qg, nC: 500/25
/: THT
verfügbar: 137 Stück
erwartet:
150 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.54 EUR |
10+ | 0.5 EUR |
KA3525A (SG3525) Produktcode: 29981 |
Hersteller: Fairchild
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |
IRF7416TRPBF Produktcode: 25625 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 271 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
100+ | 0.31 EUR |
IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3162 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.26 EUR |
10+ | 0.23 EUR |
IRF7420 Produktcode: 22021 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 12
Id,A: 11.5
Rds(on),Om: 0.026
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 12
Id,A: 11.5
Rds(on),Om: 0.026
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
/: SMD
verfügbar: 24 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |