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IRF9Z34NSTRLPBF

IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+2.08 EUR
1600+1.9 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
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800+2.12 EUR
1600+1.94 EUR
2400+1.82 EUR
4000+1.7 EUR
5600+1.62 EUR
8000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
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800+2.12 EUR
1600+1.9 EUR
2400+1.75 EUR
4000+1.61 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.21 EUR
1600+2.06 EUR
2400+1.98 EUR
4000+1.89 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
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77+2.26 EUR
109+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 269 Stücke:
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39+4.53 EUR
57+3.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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57+3.08 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
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76+2.24 EUR
77+2.13 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
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10+3.8 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 14529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.14 EUR
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IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
60+3.93 EUR
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.08 EUR
1600+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.12 EUR
1600+1.94 EUR
2400+1.82 EUR
4000+1.7 EUR
5600+1.62 EUR
8000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.12 EUR
1600+1.9 EUR
2400+1.75 EUR
4000+1.61 EUR
5600+1.5 EUR
8000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.21 EUR
1600+2.06 EUR
2400+1.98 EUR
4000+1.89 EUR
5600+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.32 EUR
77+2.26 EUR
109+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.53 EUR
57+3.01 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.53 EUR
57+3.08 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.82 EUR
76+2.24 EUR
77+2.13 EUR
109+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 5637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.87 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
800+1.95 EUR
2400+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 14529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.37 EUR
10+4.14 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.62 EUR
60+3.93 EUR
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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