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IRF9Z34SPBF

IRF9Z34SPBF Vishay

sihf9z34.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 352 Stücke:
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Technische Details IRF9Z34SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 88W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.47 EUR
39+2.23 EUR
50+1.83 EUR
100+1.67 EUR
200+1.51 EUR
500+1.32 EUR
750+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.7 EUR
59+2.99 EUR
100+2.65 EUR
200+2.37 EUR
500+2.02 EUR
750+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 359 Stücke:
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36+4.95 EUR
57+2.98 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.75 EUR
100+2.07 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.71 EUR
5000+1.64 EUR
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY VISH-S-A0013473623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
65+3.59 EUR
100+2.3 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
50+3.69 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
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1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF9Z34SPBF
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59+2.99 EUR
100+2.65 EUR
200+2.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRF9Z34SPBF
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AnzahlPrivatkunde
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57+2.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
auf Bestellung 1498 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+5.11 EUR
10+2.75 EUR
100+2.07 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.71 EUR
5000+1.64 EUR
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IRF9Z34SPBF VISH-S-A0013473623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.43 EUR
65+3.59 EUR
100+2.3 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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500+2.74 EUR
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IRF9Z34SPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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