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Technische Details IRF9Z34SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF9Z34SPBF nach Preis ab 1.3 EUR bis 5.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9Z34SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |