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IRF9Z34SPBF

IRF9Z34SPBF Vishay

sihf9z34.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRF9Z34SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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46+1.59 EUR
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf9z34.pdf MOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : Vishay sihf9z34.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013473623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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