IRFB11N50APBF

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Produktcode: 27308
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details IRFB11N50APBF

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IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFB11N50APBF THT N channel transistors
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IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFB11N50APBF THT N channel transistors
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IRFB11N50APBF
Hersteller:
IRFB11N50A MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
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Hersteller: Vishay/IR

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Infineon Technologies
Infineon PLANAR >= 100V
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IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
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IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
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