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IRFB11N50APBF

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Produktcode: 27308
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.21 EUR
100+2.4 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.33 EUR
53+3.18 EUR
100+2.34 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay Semiconductors 91094.pdf MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+3.5 EUR
100+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.51 EUR
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+4.75 EUR
50+3.68 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY VISH-S-A0019267808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
100+3.17 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.56 EUR
10+10.73 EUR
50+8.08 EUR
100+7.75 EUR
200+7.4 EUR
250+7.28 EUR
500+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 502 Stücke:
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6+30.74 EUR
10+17.5 EUR
50+12.9 EUR
100+12.08 EUR
200+11.38 EUR
250+11.01 EUR
500+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.21 EUR
100+2.4 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.21 EUR
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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53+3.18 EUR
100+2.34 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.07 EUR
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2299 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.31 EUR
10+3.5 EUR
100+2.89 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.51 EUR
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.27 EUR
10+4.75 EUR
50+3.68 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB11N50APBF VISH-S-A0019267808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.29 EUR
52+4.55 EUR
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IRFB11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+18.56 EUR
10+10.73 EUR
50+8.08 EUR
100+7.75 EUR
200+7.4 EUR
250+7.28 EUR
500+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF 91094.pdf
IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+30.74 EUR
10+17.5 EUR
50+12.9 EUR
100+12.08 EUR
200+11.38 EUR
250+11.01 EUR
500+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB11N50APBF 91094.pdf
IRFB11N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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