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IRFB20N50KPBF

IRFB20N50KPBF VISHAY


IRFB20N50K.pdf Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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Technische Details IRFB20N50KPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Hersteller : VISHAY IRFB20N50K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB20N50KPBF Hersteller : Vishay irfb20n50k.pdf Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF
Produktcode: 35981
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Hersteller : Vishay irfb20n50k.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.21
Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110
JHGF: THT
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Hersteller : Vishay irfb20n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Hersteller : Vishay irfb20n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Hersteller : Vishay Siliconix irfb20n50k.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
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IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfb20n50k.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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