IRFB20N50KPBF Vishay
Produktcode: 35981
Hersteller: VishayGehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.21
Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110
JHGF: THT
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Technische Details IRFB20N50KPBF Vishay
- MOSFET, N, 500V, 20A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:20A
- On State Resistance:0.25ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:500V
- Power Dissipation:280W
- Power Dissipation Pd:280W
- Pulse Current Idm:80A
- Transistor Case Style:TO-220AB
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFB20N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V |
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6860 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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| 10+ | 0.0038 EUR |
| 100+ | 0.0024 EUR |
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Größe Typ: 0805
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erwartet:
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20000 Stück - erwartet 25.01.2026
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| 10+ | 0.0038 EUR |
| 100+ | 0.0024 EUR |
| 1000+ | 0.0017 EUR |
| 180 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1233
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5500 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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