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IRFB23N15DPBF

IRFB23N15DPBF Infineon Technologies

irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Technische Details IRFB23N15DPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs23n15dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS10393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB23N15DPBF - IRFB23N15 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRFB23N15DPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irfs23n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356361eff2140 Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFS23N15D-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
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IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B68EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs23n15d.pdf?ci_sign=790a0ecb84f9f1b08112c5a3d15c1af785983808 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 23A; 3.8W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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