IRFB3004PBF Infineon Technologies
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 690+ | 3.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFB3004PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB3004PBF nach Preis ab 2.43 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IRFB3004PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| IRFB3004PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB3004PBF THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
 |
IRFB3004PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |