IRFB3006PBF

IRFB3006PBF Infineon Technologies


infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB3006PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb3006-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561247681de9 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB3006_DataSheet_v01_01_EN-3363119.pdf MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3006pbf.pdf?ci_sign=af7f6f1ff8f7a54d3a732ebdbab42c7601952b23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3006pbf.pdf?ci_sign=af7f6f1ff8f7a54d3a732ebdbab42c7601952b23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
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IRFB3006PBF IRFB3006PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 574 Stücke:
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