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IRFB3206GPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 518 Stücke:
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IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineonirfb3206gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 1495 Stücke:
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185+2.44 EUR
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IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 200 Stücke:
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20+3.6 EUR
30+2.4 EUR
100+1.86 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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