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IRFB3207ZPBF

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Produktcode: 197879
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFB3207ZPBF

  • MOSFET, N, 75V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:120A
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State Resistance:0.0041ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:300mW
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Base Number:3207
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:170A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • N-channel Gate Charge:120nC
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:670A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRFB3207ZPBF nach Preis ab 1.68 EUR bis 7.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 71 Stücke:
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23+3.75 EUR
25+3.44 EUR
28+3.09 EUR
50+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+3.92 EUR
100+3.22 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.37 EUR
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 203 Stücke:
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35+7.34 EUR
62+3.78 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB3207ZPBF International Rectifier HiRel Products irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4957 Stücke:
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194+3.4 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.74 EUR
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IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+1.96 EUR
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IRFB3207ZPBF description infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf
IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
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82+2.07 EUR
100+1.93 EUR
500+1.68 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+2 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
55+3.09 EUR
100+2.73 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.88 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
55+3.17 EUR
100+2.83 EUR
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IRFB3207ZPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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194+3.4 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.74 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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194+3.4 EUR
500+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 71 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
23+3.75 EUR
25+3.44 EUR
28+3.09 EUR
50+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
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10+3.92 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
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4+6.91 EUR
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2000+2.23 EUR
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IRFB3207ZPBF description INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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35+7.34 EUR
62+3.78 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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