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IRFB3207ZPBF

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Produktcode: 197879
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFB3207ZPBF

  • MOSFET, N, 75V, TO-220AB
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:120A
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State Resistance:0.0041ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:300mW
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Base Number:3207
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:170A
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • N-channel Gate Charge:120nC
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:670A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 71 Stücke:
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23+3.15 EUR
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies irfs3207zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563679b62161 description Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
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10+4 EUR
100+2.97 EUR
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IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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62+2.35 EUR
100+2.13 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 960 Stücke:
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194+2.86 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4957 Stücke:
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AnzahlPreis
194+2.86 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 956 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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23+3.15 EUR
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 597 Stücke:
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1+6.11 EUR
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IRFB3207ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 4100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 251 Stücke:
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