IRFB3306PBFXKMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V

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	IRFB3306PBFXKMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs IR FET UP TO 60V	auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 3.84 EUR 10+ 1.9 EUR 100+ 1.68 EUR 500+ 1.33 EUR 1000+ 1.22 EUR 2000+ 1.16 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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