IRFB3306PBFXKMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V

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Technische Details IRFB3306PBFXKMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	IRFB3306PBFXKMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V	auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 5+ 3.85 EUR 50+ 1.9 EUR 100+ 1.71 EUR Mindestbestellmenge: 5 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IRFB3306PBFXKMA1	Hersteller : Infineon Technologies	IRFB3306PBFXKMA1	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH