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IRFB3307PBF

IRFB3307PBF Infineon Technologies

irfs3307pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29391 Stücke:
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237+2.76 EUR
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Technische Details IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 130A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.3mΩ
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.61 EUR
26+3.3 EUR
28+3.06 EUR
37+2.31 EUR
44+1.95 EUR
54+1.59 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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40+4.41 EUR
69+2.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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35+5.01 EUR
65+2.64 EUR
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500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.48 EUR
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IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
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1+5.89 EUR
10+3.81 EUR
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1000+2.05 EUR
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IRFB3307PBF IRFB3307PBF Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.88 EUR
50+2.98 EUR
100+2.69 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB3307PBF International Rectifier HiRel Products irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 130A
Kind of channel: enhancement
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Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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On-state resistance: 6.3mΩ
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
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