Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB3307PBF
IRFB3307PBF

IRFB3307PBF Infineon Technologies

infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+1.99 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.53 EUR
10000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFB3307PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote IRFB3307PBF nach Preis ab 1.27 EUR bis 4.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
31+2.33 EUR
38+1.93 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
250+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
31+2.33 EUR
38+1.93 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+3.38 EUR
68+2.08 EUR
100+1.96 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307_DataSheet_v01_01_EN-1732718.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
100+1.78 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.38 EUR
10+2.43 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Hersteller : INFINEON 1572412.pdf Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH