IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.7 EUR |
| 28+ | 2.56 EUR |
| 30+ | 2.43 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
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Technische Details IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFB3307PBF nach Preis ab 1.1 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC |
auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB3307PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB3307PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3307PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |