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IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF

irfs3307zpbf-datasheet.pdf
Produktcode: 37782
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4187 Stücke:
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
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Розмір: M4
Монтаж: На плату
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Застосування: TO-220
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47 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-47R)
Produktcode: 13676
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CR-S_080911.pdf
47 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-47R)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 47 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
verfügbar: 10088 St.
1199 St. - stock Köln
8889 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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3,3 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-3K3-Hitano)
Produktcode: 13774
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Hersteller: Hitano
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Resistenz: 3,3 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4611 St.
1189 St. - stock Köln
3422 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 10.05.2026
Anzahl Preis
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100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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