Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF

Name: IRFB3307ZPBF
Brand: IR
SKU: 37782
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 37782

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT

auf Bestellung 147 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1.24 EUR
10+	1.12 EUR

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFB3307ZPBF nach Preis ab 0.9 EUR bis 5.49 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis ohne MwSt

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 17167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
92+	1.7 EUR
99+	1.53 EUR
107+	1.36 EUR
250+	1.25 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR
2000+	0.93 EUR
5000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 92

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 17167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
92+	1.7 EUR
99+	1.52 EUR
108+	1.35 EUR
250+	1.25 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.02 EUR
2000+	0.92 EUR
5000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 92

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 4180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
75+	2.09 EUR
84+	1.81 EUR
100+	1.68 EUR
200+	1.61 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.32 EUR
2000+	1.24 EUR
4000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 75

IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 79nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
29+	2.52 EUR
35+	2.1 EUR
38+	1.9 EUR
50+	1.46 EUR
53+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
29+	2.52 EUR
35+	2.1 EUR
38+	1.9 EUR
50+	1.46 EUR
53+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
50+	3.14 EUR
52+	2.91 EUR
100+	2.71 EUR
250+	2.52 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
46+	3.47 EUR
56+	2.73 EUR
100+	2.16 EUR
250+	1.89 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
46+	3.47 EUR
56+	2.73 EUR
100+	2.16 EUR
250+	1.89 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 46

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

auf Bestellung 1381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
5+	3.91 EUR
100+	3.23 EUR
500+	2.73 EUR
1000+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf

MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	5.49 EUR
12+	4.5 EUR
100+	3.72 EUR
250+	3.64 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	2.73 EUR
2000+	2.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm

auf Bestellung 796 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 17167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mit diesem Produkt kaufen

IRFB3077PBF
Produktcode: 104275

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

auf Bestellung 194 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRFB7434PBF
Produktcode: 171783

Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT

auf Bestellung 274 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

STP14NK50ZFP
Produktcode: 2275

Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

verfügbar: 112 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1.68 EUR

10uF 400V ESG 10x20mm (ESG100M2GBA-Hitano)
Produktcode: 18649

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ESG-für Ballast lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10x20mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 2149 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.29 EUR
10+	0.24 EUR
100+	0.17 EUR

IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

auf Bestellung 13323 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1.5 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1 EUR