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IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBF


irfs3307zpbf-datasheet.pdf
Produktcode: 37782
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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250+2.29 EUR
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
27+2.66 EUR
34+2.14 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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39+3.71 EUR
51+2.76 EUR
100+1.85 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5017 Stücke:
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39+3.79 EUR
67+2.09 EUR
100+1.76 EUR
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2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
auf Bestellung 1063 Stücke:
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5+4 EUR
10+3.02 EUR
100+2.01 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 743 Stücke:
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
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SPP20N60C3
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SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 181 Stück:
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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275
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description irfb3077pbf-datasheet.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Leisto 900M-T-K (жало медное для паяльника)
Produktcode: 153143
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900m-series-soldering-tips.pdf
Leisto 900M-T-K  (жало медное для паяльника)
Hersteller: Leisto
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях
Beschreibung: Жало "ніж" (45 °, 15мм, діаметр 5мм, товщина: 2 мм), мідне
Тип жала: 900M-T
№ 4: Ніж
Розмір кінчика жала: 5 mm
auf Bestellung 319 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Клеммник KLS2-128-5.00-02P-4C
Produktcode: 161827
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kls2-128-500-datasheet.pdf
Клеммник KLS2-128-5.00-02P-4C
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/10A
Schritt, mm: 5 mm
Anzahl Kontakte: 2
Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 10 А
auf Bestellung 1659 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 Stück:
5000 Stück - erwartet 20.09.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KLS8-01144-CW1-M4 терминал на плату с винтом
Produktcode: 162154
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kls8-01144-datasheet.pdf
KLS8-01144-CW1-M4 терминал на плату с винтом
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Термінал на плату з гвинтом M4
Розмір: M4
Монтаж: На плату
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet 05.09.2025
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