| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.32 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 2000+ | 1.19 EUR |
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Technische Details IRFB4019PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4019PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.
Weitere Produktangebote IRFB4019PBFXKMA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 5.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4019PBFXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFB4019PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
Description: INFINEON - IRFB4019PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.15 EUR |
| 77+ | 3.03 EUR |
| 113+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |