IRFB4110GPBF

IRFB4110GPBF Infineon Technologies


infineon-irfb4110g-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB4110GPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V.

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IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4110G_DataSheet_v01_01_EN-3363164.pdf MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
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IRFB4110GPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS irfb4110gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356159f7f1e09 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4110gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356159f7f1e09 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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