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IRFB4127PBF

irfb4127pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 37966
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5380/100
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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38+6.13 EUR
100+4.39 EUR
500+3.75 EUR
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
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IRFB4127PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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IRFB4127PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
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MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
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1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Produktcode: 60674
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung: 2305 St.
  • 2305 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Produktcode: 98326
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kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, bedrahtet, Mehrgang, Obeneinstellung
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83 mm
Montageart: Vertikal
Leistung: 0,5 Вт
Wirkmechanismus: Mehrgang
verfügbar: 73 St.
  • 73 St. - stock Köln
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 95 St.
  • 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRF20200CT
Produktcode: 107943
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mbrf20200ct-d.pdf
MBRF20200CT
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 В
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
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22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Produktcode: 127198
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22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 22 мкФ
Nennspannung: 25 В
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0805
auf Bestellung: 10599 St.
  • 10599 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.2 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1333
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X7R_X5R.pdf
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 47 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 75 St.
  • 75 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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