IRFB4127PBF Infineon Technologies
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 85+ | 1.74 EUR |
| 89+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFB4127PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB4127PBF nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg |
auf Bestellung 10135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 67187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF Produktcode: 37966
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 76 A Rds(on), Ohm: 17 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB4127PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |