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IRFB4127PBF

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irfb4127pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 37966
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
JHGF: THT
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
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10+3.99 EUR
100+2.8 EUR
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1000+2.13 EUR
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB4127PBF IRFB4127PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4127datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4127PBF Hersteller : International Rectifier irfb4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615c2ef1e11 MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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1,0uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG-Samsung)
Produktcode: 60674
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1,0uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,0uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2375 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Produktcode: 98326
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kls4-3296-datasheet.pdf
100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 225 St.
73 St. - stock Köln
152 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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MBRF20200CT
Produktcode: 107943
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mbrf20200ct-d.pdf
MBRF20200CT
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Produktcode: 127198
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22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0805
auf Bestellung 21041 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1333
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X7R_X5R.pdf
47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 47nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 3555 St.
1200 St. - stock Köln
2355 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.013 EUR
1000+0.011 EUR
10000+0.009 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH