IRFB4127PBF
Produktcode: 37966
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFB4127PBF nach Preis ab 1.36 EUR bis 6.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFB4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg |
auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4127PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.36 EUR |
| 33+ | 2.2 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 46+ | 1.57 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 4.53 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 4.53 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 4.74 EUR |
| 51+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 1.79 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 4.85 EUR |
| 32+ | 4.58 EUR |
| 50+ | 4.31 EUR |
| 100+ | 4.07 EUR |
| 250+ | 3.89 EUR |
| 500+ | 3.72 EUR |
| 1000+ | 3.55 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.37 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.09 EUR |
| 10+ | 3.99 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| IRFB4127PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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| 1,0uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG-Samsung) Produktcode: 60674
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,0uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1,0uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 2345 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.025 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |
| 10000+ | 0.018 EUR |
| 100 kOhm 3296W (KLS4-3296W-104) Produktcode: 98326
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 100 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
verfügbar: 179 St.
- 73 St. - stock Köln
- 106 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1020 St.
- 1000 St. - erwartet 06.10.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.2 EUR |
| 10+ | 0.16 EUR |
| MBRF20200CT Produktcode: 107943
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 200 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,8 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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Stück im Wert von UAH
| 22uF 25V X5R 0805 (CL21A226MAQNNNE-Samsung) Produktcode: 127198
3
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0805
auf Bestellung 17411 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 47nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B473K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1333
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 47nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 47nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 1375 St.
- 1200 St. - stock Köln
- 175 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.013 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| 10000+ | 0.009 EUR |









