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IRFB4127PBF

Name: IRFB4127PBF
Brand: IR
SKU: 37966
Price: 2.8 EUR
Availability: BackOrder

Produktcode: 37966

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 76 A
Rds(on), Ohm: 17 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
JHGF: THT

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfb4127-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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41+	1.77 EUR
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IRFB4127PBF

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Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFB4127_DataSheet_v01_01_EN-3363120.pdf

MOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4127PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V

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47uH ±10% аксиальный дроссель 110mA 4,9 Ohm (LGA0307-470K Pbf-BOCHEN)
Produktcode: 122303

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47uH ±10% аксиальный дроссель 110mA 4,9 Ohm (LGA0307-470K Pbf-BOCHEN)

Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 47 µH
Genauigkeit: ±10%
Beschreibung und Eigenschaften: аксіальні, I=0.11 A, R=4.9 Ohm, Q=50@f=2.52MHz, SRF=6,3MHz
Abmessungen und Größe: 3,0x7мм

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33uH 10% (SPT0305A-330K-PF TDK) ( Induktivität axial)
Produktcode: 75964

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Hersteller: TDK
Drosseln > Induktivität(Drosseln) THT niedriger Leistung
Nennwert: 22 uH
Genauigkeit: ±10%
Beschreibung und Eigenschaften: аксіальні
Abmessungen und Größe: 2,8х7мм

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IRF1404PBF
Produktcode: 31360

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irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT

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BZX384-C5V6
Produktcode: 26551

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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-323
Ustab.,V: 5,6
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,3
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 1.2mV/K

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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