IRFB4137PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB4137PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB4137PBF nach Preis ab 2.54 EUR bis 6.20 EUR
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4137PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 38A Power dissipation: 341W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB4137PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 38A Power dissipation: 341W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4137PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFB4137PBF Produktcode: 58576
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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