
IRFB4137PBF Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFB4137PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB4137PBF nach Preis ab 2.39 EUR bis 7.30 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V |
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IRFB4137PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB4137PBF | Hersteller : INFINEON |
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IRFB4137PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
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IRFB4137PBF Produktcode: 58576
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