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IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.33 EUR
41+2.09 EUR
47+1.82 EUR
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
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IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs IR FET >60-400V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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41+2.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 612 Stücke:
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MOSFETs IR FET >60-400V
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