Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFB4227PBFXKMA1
IRFB4227PBFXKMA1

IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.08 EUR
113+1.51 EUR
119+1.37 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm.

Weitere Produktangebote IRFB4227PBFXKMA1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 6.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.09 EUR
113+1.55 EUR
119+1.43 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.33 EUR
41+2.09 EUR
47+1.82 EUR
52+1.65 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
80+2.18 EUR
100+1.93 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
80+2.13 EUR
100+1.86 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
69+3.39 EUR
100+2.65 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.53 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+2.98 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.09 EUR
113+1.55 EUR
119+1.43 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+2.23 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+3.33 EUR
41+2.09 EUR
47+1.82 EUR
52+1.65 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.2 EUR
80+2.18 EUR
100+1.93 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.2 EUR
80+2.13 EUR
100+1.86 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 3733158.pdf
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
69+3.39 EUR
100+2.65 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.53 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+2.98 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH