IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB4227PBFXKMA1 nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005738325 |
Produkt ist nicht verfügbar |