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IRFB4229PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1074 Stücke:
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250+6.03 EUR
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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IRFB4229PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4229PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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IRFB4229PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
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IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 829 Stücke:
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1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 32120
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1nF 50V NP0 5% C1206 4k/reel (C1206N102J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.071 EUR
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1000+0.045 EUR
10000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATmega88PA-AU
Produktcode: 27186
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description ATmega48P,V,88P,V,168P,V,328P,V.pdf
ATmega88PA-AU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: TQFP-32
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 8K Byte im System programmierbar Flash
Versorgungsspannung, V: 2,7...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
ZCODE: 8542 39 90 00
auf Bestellung: 127 St.
  • 127 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.28 EUR
10+4.86 EUR
100+2.02 EUR
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IR2110SPBF
Produktcode: 25569
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description ir2110spbf.pdf
IR2110SPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 2032
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68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 68 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 7715 St.
  • 7715 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.063 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
10000+0.013 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 1953
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10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 1759 St.
  • 1759 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.03 EUR
1000+0.025 EUR
10000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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