IRFB4229PBF Infineon Technologies
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| 36+ | 4.35 EUR |
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| 250+ | 1.85 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
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Technische Details IRFB4229PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB4229PBF nach Preis ab 1.76 EUR bis 7.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFB4229PBF Produktcode: 118259 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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