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IRFB4229PBF

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Produktcode: 118259
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
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50+2.61 EUR
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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202+2.72 EUR
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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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48+3.11 EUR
100+2.84 EUR
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IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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34+2.12 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF 3732402.pdf
IRFB4229PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1nF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (1206N102J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 32120
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1nF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (1206N102J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
AnzahlPreis
10+0.06 EUR
100+0.037 EUR
1000+0.033 EUR
10000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATmega88PA PicoPower AVR 8-Bit Microcontroller 8kB Flash 20MHz TQFP32
Produktcode: 27186
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description ATmega48P,V,88P,V,168P,V,328P,V.pdf
ATmega88PA PicoPower AVR 8-Bit Microcontroller 8kB Flash 20MHz TQFP32
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: TQFP-32
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 8K Bytes In-System Programmable Flash
Strom, V: 2,7...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
ZCODE: 8542399000
auf Bestellung 128 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+2 EUR
10+1.9 EUR
100+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2110SPBF
Produktcode: 25569
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description ir2110spbf.pdf
IR2110SPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 500
I o +/-, A: 2,0/2,0
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2032
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68pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N680J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 68pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 7715 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1953
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NPO.pdf
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 1819 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH