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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2631 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB4229PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PMLL4148 Produktcode: 1294
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 6001 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.012 EUR |
HER108 Produktcode: 176826
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 75 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 75 ns
auf Bestellung 7868 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
10nF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=17,5mm (KB3D103K-L016BD17.5-Hitano) Produktcode: 23427
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 2000V
TKE: NPO
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=17,5mm
Part Nummer: KB3D103K-L016BD17.5
№ 8: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 2000V
TKE: NPO
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=17,5mm
Part Nummer: KB3D103K-L016BD17.5
№ 8: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.18 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
20pF 50V NP0 5% 1206 (C1206N200J500NT – Hitano) Produktcode: 114662
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 20 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 20 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 3488 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 387
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
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10+ | 0.0048 EUR |
100+ | 0.004 EUR |
1000+ | 0.0034 EUR |