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IRFB4229PBF

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Produktcode: 118259
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFB4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4229PBF IRFB4229PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
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PMLL4148
Produktcode: 1294
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PMLL4148, PMLL4448.pdf
PMLL4148
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HER108
Produktcode: 176826
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description datasheet-her108-datasheet.pdf
HER108
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 75 ns
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10nF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=17,5mm (KB3D103K-L016BD17.5-Hitano)
Produktcode: 23427
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HI_Voltage_070726.pdf
10nF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=17,5mm (KB3D103K-L016BD17.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 2000V
TKE: NPO
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=17,5mm
Part Nummer: KB3D103K-L016BD17.5
№ 8: 8532 24 00 00
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10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
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20pF 50V NP0 5% 1206 (C1206N200J500NT – Hitano)
Produktcode: 114662
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NPO.pdf
20pF 50V NP0 5% 1206 (C1206N200J500NT – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 20 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 3488 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 387
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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10+0.0048 EUR
100+0.004 EUR
1000+0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH