IRFB42N20DPBF International Rectifier/Infineon
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFB42N20DPBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc).
Weitere Produktangebote IRFB42N20DPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB42N20DPBF | International Rectifier |
Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRFB42N20DPBF | Infineon / IR |
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IRFB42N20DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 42.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFB42N20DPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB42N20DPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB42N20DPBF |
|
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB42N20DPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFB42N20DPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH