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IRFB4310PBF

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Produktcode: 172846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+2.26 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2081 Stücke:
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auf Bestellung 1975 Stücke:
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200+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.87 EUR
35+2.49 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.84 EUR
53+3.14 EUR
57+2.81 EUR
100+2.25 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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30+5.84 EUR
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57+2.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.34 EUR
52+3.26 EUR
57+2.95 EUR
100+2.38 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+4.55 EUR
100+4.13 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.14 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 14724 Stücke:
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3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
50+4.51 EUR
100+4.09 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 815 Stücke:
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53+3.14 EUR
57+2.81 EUR
100+2.25 EUR
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auf Bestellung 815 Stücke:
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53+3.2 EUR
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auf Bestellung 2150 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+6.34 EUR
52+3.26 EUR
57+2.95 EUR
100+2.38 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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52+3.2 EUR
57+2.84 EUR
100+2.26 EUR
500+1.99 EUR
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Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
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