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IRFB4310PBF

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Produktcode: 172846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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auf Bestellung 2081 Stücke:
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auf Bestellung 815 Stücke:
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63+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.3 EUR
500+3.08 EUR
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auf Bestellung 815 Stücke:
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54+3.31 EUR
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100+2.42 EUR
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auf Bestellung 815 Stücke:
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53+3.33 EUR
57+3.06 EUR
100+2.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
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52+3.42 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 15 Stücke:
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15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 63 Stücke:
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10+4.27 EUR
100+3.83 EUR
500+3.19 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 27619 Stücke:
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3+8.96 EUR
10+5.91 EUR
50+4.61 EUR
100+4.18 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+3.08 EUR
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auf Bestellung 815 Stücke:
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53+3.33 EUR
57+3.06 EUR
100+2.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.42 EUR
56+3.05 EUR
100+2.45 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 2150 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
52+3.42 EUR
56+3.12 EUR
100+2.55 EUR
500+2.38 EUR
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2000+2.14 EUR
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IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
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100+3.83 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
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