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IRFB4310PBF

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Produktcode: 172846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
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1+8.82 EUR
10+4.24 EUR
100+3.77 EUR
500+3.39 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
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50+4.62 EUR
100+4.19 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
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IRFB4310PBF International Rectifier irfs4310pbf.pdf TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
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IRFB4310PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
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IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: International Rectifier
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
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