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IRFB4310PBF

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Produktcode: 172846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 815 Stücke:
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59+2.48 EUR
62+2.3 EUR
100+1.94 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2600 Stücke:
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58+2.52 EUR
62+2.28 EUR
100+1.87 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.6 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.53 EUR
61+2.34 EUR
100+1.95 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
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193+2.82 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.42 EUR
40+1.82 EUR
50+1.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 21
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 1360 Stücke:
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1+6.16 EUR
10+4.05 EUR
100+3.01 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.2 EUR
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 29844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.64 EUR
50+3.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.13 EUR
5000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 81 Stücke:
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
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62+2.3 EUR
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Anzahl Preis
58+2.52 EUR
62+2.28 EUR
100+1.87 EUR
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193+2.82 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.25 EUR
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IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
auf Bestellung 163 Stücke:
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Anzahl Preis
21+3.42 EUR
40+1.82 EUR
50+1.52 EUR
100+1.49 EUR
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1+6.16 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
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