
IRFB4310PBF Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFB4310PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFB4310PBF nach Preis ab 1.34 EUR bis 5.14 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB4310PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4310PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4310PBF Produktcode: 172846
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IRFB4310PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB4310PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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