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IRFB4310PBF

IRFB4310PBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB4310PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310PBF
Produktcode: 172846
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IRFB4310PBF IRFB4310PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRFB4310PBF Hersteller : International Rectifier irfs4310pbf.pdf TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFB4310PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfs4310pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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