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IRFB4310ZPBF

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Produktcode: 145200
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+2.43 EUR
2000+2.36 EUR
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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42+4.22 EUR
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auf Bestellung 1788 Stücke:
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28+6.31 EUR
41+4.13 EUR
50+3.24 EUR
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12012 Stücke:
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25+7.08 EUR
39+4.47 EUR
50+3.49 EUR
100+2.81 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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25+7.1 EUR
39+4.39 EUR
50+3.36 EUR
100+2.67 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.88 EUR
50+3.77 EUR
100+3.43 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 997 Stücke:
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28+9.17 EUR
42+5.57 EUR
100+3.62 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 144 Stücke:
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IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.43 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+2.43 EUR
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IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPrivatkunde
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41+4.13 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.31 EUR
41+4.22 EUR
50+3.36 EUR
100+2.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 12012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.08 EUR
39+4.47 EUR
50+3.49 EUR
100+2.81 EUR
500+2.21 EUR
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39+4.39 EUR
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500+2.05 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
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500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 997 Stücke:
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IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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