IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFB4310ZPBF nach Preis ab 1.54 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4310ZPBF Produktcode: 145200
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
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