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IRFB4510PBF

IRFB4510PBF Infineon

irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40
Produktcode: 58620
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
JHGF: THT
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
48+1.5 EUR
67+1.07 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
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8+2.43 EUR
10+1.79 EUR
100+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4510_DataSheet_v01_01_EN-3363086.pdf MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 IRFB4510PBF Транзисторы
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 781 Stück:
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Produktcode: 15912
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description cynel.pdf
.
+1
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,5mm 0,25kg.
Gewicht: 250g.
Durchschnitt: 1,5mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 156 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 360 Stück:
360 Stück - erwartet 20.07.2025
Anzahl Preis
1+15 EUR
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.42 EUR
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2N3904G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29367
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2N3904.pdf
2N3904G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT
auf Bestellung 3824 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
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LTV817S-TA1 [C]
Produktcode: 31279
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ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Hersteller: Liteon
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 6
Ton/Toff, µs: 4/3
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
auf Bestellung 5137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.29 EUR
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