
IRFB4510PBF Infineon

Produktcode: 58620
Hersteller: InfineonUds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
JHGF: THT
auf Bestellung 198 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A On-state resistance: 13.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A On-state resistance: 13.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF |
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auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFB4510PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF9540NPBF Produktcode: 31944
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
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800 Stück - erwartet 20.06.2025Anzahl | Preis |
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1+ | 0.58 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
. Produktcode: 15912
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,5mm 0,25kg.
Gewicht: 250g.
Durchschnitt: 1,5mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,5mm 0,25kg.
Gewicht: 250g.
Durchschnitt: 1,5mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 360 Stück:
360 Stück - erwartet 20.07.2025Anzahl | Preis |
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1+ | 15.00 EUR |
MBR20100CTG Produktcode: 26154
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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Монтаж: THT
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auf Bestellung 265 Stück:
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
2N3904G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 29367
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
h21: 300
ZCODE: THT
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auf Bestellung 1876 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 20.06.2025Anzahl | Preis |
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1+ | 0.10 EUR |
10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
LTV817S-TA1 [C] Produktcode: 31279
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Hersteller: Liteon
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 6
Ton/Toff, µs: 4/3
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
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auf Bestellung 9167 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.29 EUR |