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IRFB4620PBF

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Produktcode: 52030
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
89+1.93 EUR
100+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 205189 Stücke:
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268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
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100000+1.42 EUR
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 287 Stücke:
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25+3.4 EUR
28+3.09 EUR
33+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4620_DataSheet_v01_01_EN-3363050.pdf MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.09 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44 Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
50+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
auf Bestellung 605 Stücke:
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39+6.43 EUR
42+5.57 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1395 Stücke:
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88+1.98 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.48 EUR
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
89+1.93 EUR
100+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
89+1.96 EUR
100+1.9 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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88+2.01 EUR
89+1.92 EUR
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 205189 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.71 EUR
100000+1.42 EUR
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IRFB4620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 287 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+3.4 EUR
28+3.09 EUR
33+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 108 Stücke:
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1+3.5 EUR
10+2.09 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 901 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
50+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4620PBF INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4620PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
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