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IRFB4620PBF

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Produktcode: 52030
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 205189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
100000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4620_DataSheet_v01_01_EN-3363050.pdf MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.09 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.62 EUR
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
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38+4.59 EUR
56+3.02 EUR
78+2.08 EUR
100+1.96 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
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56+3.09 EUR
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100+2.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies irfb4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616630a1e44 Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.42 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.38 EUR
51+3.34 EUR
66+2.46 EUR
100+2.13 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON INFN-S-A0012838264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
59+3.95 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF Infineon Technologies infineonirfb4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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250+647.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
86+2.02 EUR
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IRFB4620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
100000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.09 EUR
100+2.07 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
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Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 610 Stücke:
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100+1.96 EUR
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56+3.09 EUR
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100+2.08 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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250+647.26 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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