| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 113+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote IRFB5615PBFXKMA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 5.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
 IRFB5615PBFXKMA1 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
IRFB5615PBFXKMA1 |
auf Bestellung 268000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IRFB5615PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IRFB5615PBFXKMA1
IRFB5615PBFXKMA1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 113+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
| IRFB5615PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IRFB5615PBFXKMA1
IRFB5615PBFXKMA1
auf Bestellung 268000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 319+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 10000+ | 1.43 EUR |
| 100000+ | 1.18 EUR |
| IRFB5615PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.71 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2000+ | 1.43 EUR |
| IRFB5615PBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: INFINEON - IRFB5615PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.8 EUR |
| 89+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |