IRFB5620PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB5620PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFB5620PBF nach Preis ab 1.93 EUR bis 6.68 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFB5620PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Gate charge: 25nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 72.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB5620PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Gate charge: 25nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 72.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC |
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IRFB5620PBF Produktcode: 47564 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 60 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 JHGF: THT |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5620PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 144 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |