Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFB5620PBF
IRFB5620PBF

IRFB5620PBF

irfb5620pbf.pdf
Produktcode: 47564
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFB5620PBF nach Preis ab 1.45 EUR bis 5.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.28 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.05 EUR
46+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.08 EUR
82+2.13 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.08 EUR
82+2.08 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
119+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.44 EUR
82+2.08 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.01 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+2.81 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+2.28 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.05 EUR
46+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.08 EUR
82+2.13 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.08 EUR
82+2.08 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5620PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+4.32 EUR
119+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.44 EUR
82+2.08 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.07 EUR
10+3.01 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5620PBF infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf
IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.65 EUR
50+2.81 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH