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IRFB5620PBF

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Produktcode: 47564
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.42 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.64 EUR
100+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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76+1.94 EUR
99+1.44 EUR
104+1.32 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 124 Stücke:
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36+1.99 EUR
55+1.32 EUR
62+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9834 Stücke:
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53+2.8 EUR
90+1.58 EUR
100+1.4 EUR
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1000+1.05 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.4 EUR
82+1.77 EUR
100+1.57 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineonirfb5620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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41+3.62 EUR
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5620_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+2.09 EUR
100+1.8 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.32 EUR
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IRFB5620PBF IRFB5620PBF Infineon Technologies infineon-irfb5620-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.41 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB5620PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2000+1.02 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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76+1.94 EUR
99+1.44 EUR
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IRFB5620PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9834 Stücke:
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AnzahlPreis
53+2.8 EUR
90+1.58 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.9 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
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AnzahlPreis
43+3.4 EUR
82+1.77 EUR
100+1.57 EUR
500+1.27 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10+2.09 EUR
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Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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50+2.41 EUR
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