IRFB5620PBF
Produktcode: 47564
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFB5620PBF nach Preis ab 0.89 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC |
auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB5620PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFB5620PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |