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IRFB7430PBF

IRFB7430PBF Infineon Technologies

infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+2.75 EUR
71+1.99 EUR
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Technische Details IRFB7430PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4374 Stücke:
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 25 Stücke:
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21+3.53 EUR
23+3.16 EUR
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies infineonirfb7430datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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29+5 EUR
53+2.71 EUR
100+2.43 EUR
500+1.92 EUR
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies irfb7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356169bcd1e53 Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
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4+5.44 EUR
50+2.74 EUR
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7430_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
auf Bestellung 873 Stücke:
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1+6.28 EUR
10+4.1 EUR
100+3.06 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.24 EUR
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IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON INFN-S-A0012838382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPreis
189+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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189+2.87 EUR
500+2.55 EUR
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189+2.87 EUR
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IRFB7430PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 25 Stücke:
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53+2.71 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
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MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
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1+6.28 EUR
10+4.1 EUR
100+3.06 EUR
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2000+2.24 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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