IRFB7430PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB7430PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.
Weitere Produktangebote IRFB7430PBF nach Preis ab 2.39 EUR bis 8.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm |
auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® |
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| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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|---|---|
| 200+ | 3.33 EUR |
| 500+ | 2.96 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2108 Stücke:
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| 30+ | 5.97 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| 30+ | 5.97 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| 28+ | 6.43 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| 28+ | 6.44 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
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| 1000+ | 2.45 EUR |
| 5000+ | 2.39 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 4.43 EUR |
| 50+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.79 EUR |
| 52+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)