Technische Details IRFB7430PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFB7430PBF nach Preis ab 1.77 EUR bis 6.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7430PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 200+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| 200+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 200+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2108 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.85 EUR |
| 55+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.28 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.76 EUR |
| 10+ | 4.4 EUR |
| 50+ | 3.39 EUR |
| 100+ | 3.07 EUR |
| 500+ | 2.5 EUR |
| IRFB7430PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
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