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IRFB7530PBF

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Produktcode: 184416
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Transistoren > MOSFET N-CH

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auf Bestellung 700 Stücke:
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auf Bestellung 214 Stücke:
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7530_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
auf Bestellung 1882 Stücke:
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
auf Bestellung 939 Stücke:
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3+8.4 EUR
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3788 Stücke:
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28+9.25 EUR
50+4.69 EUR
100+3.94 EUR
500+3.24 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 214 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
203+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+3.21 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
27+6.52 EUR
48+3.5 EUR
49+3.34 EUR
50+3.21 EUR
100+2.75 EUR
250+2.61 EUR
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IRFB7530PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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27+6.52 EUR
48+3.58 EUR
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100+2.99 EUR
250+2.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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100+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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48+3.52 EUR
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auf Bestellung 430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+7.1 EUR
47+3.65 EUR
48+3.53 EUR
50+3.43 EUR
100+3.03 EUR
250+2.95 EUR
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auf Bestellung 430 Stücke:
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47+3.59 EUR
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50+3.26 EUR
100+2.81 EUR
250+2.67 EUR
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MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
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IRFB7530PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 3788 Stücke:
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