IRFB7530PBF Infineon Technologies
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| 79+ | 1.89 EUR |
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Technische Details IRFB7530PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB7530PBF nach Preis ab 1.19 EUR bis 5.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
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IRFB7530PBF Produktcode: 184416
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
auf Bestellung 1812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7530PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |