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IRFB7530PBF

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Produktcode: 184416
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 688 Stücke:
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 215 Stücke:
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43+3.41 EUR
60+2.27 EUR
61+2.16 EUR
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 33 Stücke:
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16+4.53 EUR
18+4.06 EUR
29+2.55 EUR
33+2.17 EUR
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
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27+5.51 EUR
48+3.01 EUR
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50+2.82 EUR
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250+2.45 EUR
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100+2.55 EUR
250+2.49 EUR
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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47+3.01 EUR
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50+2.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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3+6.49 EUR
50+3.33 EUR
100+3.02 EUR
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1000+2.31 EUR
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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IRFB7530PBF IRFB7530PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
43+3.41 EUR
60+2.27 EUR
61+2.16 EUR
100+1.97 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 215 Stücke:
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AnzahlPreis
43+3.41 EUR
60+2.36 EUR
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100+2.13 EUR
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IRFB7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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18+4.06 EUR
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AnzahlPreis
27+5.51 EUR
48+3.01 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
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AnzahlPreis
25+5.99 EUR
47+3.07 EUR
48+2.98 EUR
50+2.88 EUR
100+2.55 EUR
250+2.49 EUR
500+2.19 EUR
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25+6 EUR
47+3.01 EUR
48+2.87 EUR
50+2.74 EUR
100+2.36 EUR
250+2.24 EUR
500+1.93 EUR
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IRFB7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
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IRFB7530PBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7530PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 5653 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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