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IRFB7730PBF

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Produktcode: 168558
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 912 Stücke:
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70+2.48 EUR
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auf Bestellung 912 Stücke:
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58+2.94 EUR
100+2.67 EUR
500+2.25 EUR
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auf Bestellung 912 Stücke:
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52+3.2 EUR
100+2.8 EUR
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auf Bestellung 800 Stücke:
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50+3.33 EUR
100+2.89 EUR
500+2.32 EUR
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auf Bestellung 798 Stücke:
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100+3 EUR
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
auf Bestellung 92 Stücke:
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21+4.07 EUR
30+2.89 EUR
50+2.43 EUR
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 522 Stücke:
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36+5.24 EUR
250+3.57 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 2216 Stücke:
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1+7.69 EUR
10+3.92 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.14 EUR
50+3.99 EUR
100+3.61 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 912 Stücke:
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28+9.17 EUR
52+4.52 EUR
100+3.64 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
70+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+2.94 EUR
100+2.67 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.2 EUR
100+2.8 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
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50+3.33 EUR
100+2.89 EUR
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.42 EUR
100+3 EUR
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IRFB7730PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 246A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
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21+4.07 EUR
30+2.89 EUR
50+2.43 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 522 Stücke:
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250+3.57 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 2216 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.69 EUR
10+3.92 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
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IRFB7730PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
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3+7.81 EUR
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IRFB7730PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7730PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 912 Stücke:
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28+9.17 EUR
52+4.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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