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IRFBC20PBF

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Produktcode: 34302
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
171+1.01 EUR
174+0.98 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
171+1 EUR
173+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.9 EUR
63+1.36 EUR
68+1.26 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.68 EUR
100+1.92 EUR
5000+1.87 EUR
10000+1.86 EUR
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
67+3.47 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
50+3.17 EUR
100+2.86 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2 EUR
5000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFBC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.05 EUR
171+1.01 EUR
174+0.98 EUR
500+0.9 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
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10+2.68 EUR
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IRFBC20PBF VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
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67+3.47 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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AnzahlPrivatkunde
4+6.33 EUR
50+3.17 EUR
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500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
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