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IRFBC20PBF

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Produktcode: 34302
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.79 EUR
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay irfbc20.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
92+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Semiconductors irfbc20.pdf MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.01 EUR
100+1.61 EUR
5000+1.57 EUR
10000+1.56 EUR
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF Vishay Siliconix irfbc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 5008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
50+2.49 EUR
100+2.25 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.58 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 307 Stücke:
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IRFBC20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPreis
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFBC20PBF VISH-S-A0019267795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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