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IRFBC30PBF

IRFBC30PBF Vishay

irfbc30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 133046
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
JHGF: THT
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91110.pdf MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
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1000+1.24 EUR
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 67 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 60 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 750 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91110.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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BAS16.215
Produktcode: 50927
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description bas16_servfd.pdf
BAS16.215
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
verfügbar: 491 Stück
200 Stück - stock Köln
291 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
10+0.018 EUR
100+0.017 EUR
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BC807
Produktcode: 204979
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AD-BC807.pdf
BC807
Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 600
auf Bestellung 630 Stück:
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4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano)
Produktcode: 3026
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ECR_081225.pdf
4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32mm
Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 48 Stück:
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erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet
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1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
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330 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1749
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
330 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 330 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 9688 Stück
1200 Stück - stock Köln
8488 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1735
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RC_series.pdf
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 510 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 14560 Stück:
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Mindestbestellmenge: 10
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