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IRFBC30PBF

IRFBC30PBF Vishay

irfbc30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 133046
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91110.pdf MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
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1+4.05 EUR
10+2.52 EUR
100+1.78 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.24 EUR
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 67 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 60 Stücke:
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IRFBC30PBF Hersteller : Vishay Siliconix IRFBC30.PDF Код виробника: SiHFBC30-E3 TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91110.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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BAS16.215
Produktcode: 50927
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description bas16_servfd.pdf
BAS16.215
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
verfügbar: 435 St.
200 St. - stock Köln
235 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
10+0.018 EUR
100+0.017 EUR
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BC807
Produktcode: 204979
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AD-BC807.pdf
BC807
Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 600
auf Bestellung 1 St.:
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1,5 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4585
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RC_series.pdf
1,5 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1,5 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 15800 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MBR20100CT
Produktcode: 3368
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MBR20100CT.pdf
MBR20100CT
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,75 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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Anzahl Preis
1+0.46 EUR
10+0.44 EUR
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1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3314
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RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 1761 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 St.:
20000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
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