IRFBC30PBF Vishay
Produktcode: 133046
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFBC30PBF nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFBC30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BAS16.215 Produktcode: 50927
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
verfügbar: 405 St.
200 St. - stock Köln
205 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.02 EUR |
| 10+ | 0.018 EUR |
| 100+ | 0.017 EUR |
| DF10M Produktcode: 175022
3
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Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 1000 V
I dir: 1 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 1000 V
I dir: 1 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
auf Bestellung 27 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC807 Produktcode: 204979
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 600
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,5 A
h21,max: 600
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STP6NK90ZFP Produktcode: 3320
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 900
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 1.56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 900
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 1.56 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/17
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 52 St.
6 St. - stock Köln
46 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
46 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.4 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3314
1
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 20713 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |






