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IRFBC30PBF

IRFBC30PBF Vishay

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Produktcode: 133046
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 3,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/31
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay Semiconductors 91110.pdf MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 536 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF VISHAY VISH-S-A0013276661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRFBC30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH MOSFET
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IRFBC30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
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BAS16.215
Produktcode: 50927
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description bas16_servfd.pdf
BAS16.215
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev., V: 100 V
Iausr., A: 0,2 A
Beschreibung: Schnell
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,25 В
verfügbar: 200 St.
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auf Bestellung: 513 St.
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DF10M
Produktcode: 175022
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ds21201.pdf
DF10MDF10M
DF10MDF10M
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 1 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 50 А
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BC807
Produktcode: 204979
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AD-BC807.pdf
BC807
Hersteller: JSCJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 45 В
Spannung Ucb, V: 50 В
Strom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21, max: 600
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STP6NK90ZFP
Produktcode: 3320
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description STP6NK90Z.pdf
STP6NK90ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 5,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,56 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/17
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 6 St.
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1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3314
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RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 15000 St.
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auf Bestellung: 11200 St.
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH