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Technische Details IRFBC40APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFBC40APBF nach Preis ab 0.70 EUR bis 4.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBC40APBF | Hersteller : VISHAY |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40APBF Produktcode: 41815
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AR Uds,V: 600 Idd,A: 06.02.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42 JHGF: THT |
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IRFBC40APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFBC40APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke |
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IRFBC40APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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