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IRFBC40APBF

IRFBC40APBF

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Produktcode: 41815
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AR
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY iRfbc40A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.9 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
53+1.37 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.63 EUR
65+2.26 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Semiconductors IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+2.41 EUR
100+2.22 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.62 EUR
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Siliconix IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.17 EUR
50+2.59 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY VISH-S-A0019267836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 36 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFBC40APBF VISHAY IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
auf Bestellung 2 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFBC40APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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AnzahlPreis
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IRFBC40APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
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IRFBC40APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
IRFBC40APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
auf Bestellung 896 Stücke:
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IRFBC40APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF VISH-S-A0019267836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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