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IRFBC40APBF

IRFBC40APBF Vishay

91112.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFBC40APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay Semiconductors IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay Siliconix IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
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100+ 3.8 EUR
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013276560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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IRFBC40APBF Hersteller : VISHAY IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF
Produktcode: 41815 		Hersteller : IR datasheet_irfbc40a_to220.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AR
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
JHGF: THT
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : VISHAY iRfbc40A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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IRFBC40APBF IRFBC40APBF Hersteller : VISHAY iRfbc40A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
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