IRFBC40PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 64+ | 1.13 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 74+ | 0.97 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 84+ | 0.86 EUR |
| 87+ | 0.83 EUR |
| 250+ | 0.80 EUR |
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Technische Details IRFBC40PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFBC40PBF nach Preis ab 0.80 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFBC40PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC |
auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC40PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBC40PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |