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IRFBC40PBF

IRFBC40PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 131 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFBC40PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Weitere Produktangebote IRFBC40PBF nach Preis ab 1.23 EUR bis 6.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.18 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.45 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
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71+2.38 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4265 Stücke:
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67+2.59 EUR
68+2.48 EUR
100+2 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
68+2.53 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 425 Stücke:
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61+2.9 EUR
72+2.4 EUR
100+2.2 EUR
250+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay Semiconductors 91115.pdf MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1449 Stücke:
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1+5.4 EUR
10+2.73 EUR
100+2.24 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.09 EUR
50+3.14 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY VISH-S-A0019268330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1234 Stücke:
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39+6.54 EUR
77+3.02 EUR
100+2.31 EUR
500+2.01 EUR
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IRFBC40PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 131 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFBC40PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
40+2.18 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
100+1.42 EUR
250+1.3 EUR
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IRFBC40PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.45 EUR
100+2.05 EUR
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IRFBC40PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.5 EUR
71+2.38 EUR
100+1.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.59 EUR
68+2.48 EUR
100+2 EUR
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1000+1.29 EUR
2000+1.23 EUR
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auf Bestellung 4257 Stücke:
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67+2.59 EUR
68+2.53 EUR
100+2.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
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Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFBC40PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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39+6.54 EUR
77+3.02 EUR
100+2.31 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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