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Technische Details IRFBC40SPBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFBC40SPBF
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Verfügbarkeit |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : Vishay |
IRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : Vishay |
IRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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IRFBC40SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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