IRFBE20
Produktcode: 58305
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 530/38
Montage: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IRFBE20 | Siliconix |
N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFBE20 |
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Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.05 EUR |

