IRFBE20
Produktcode: 58305
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 800
Idd,A: 01.08.2015
Rds(on), Ohm: 06.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 530/38
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFBE20 nach Preis ab 1.75 EUR bis 1.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRFBE20 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBE20 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBE20 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
Produkt ist nicht verfügbar |