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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFBE20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFBE20PBF nach Preis ab 0.82 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFBE20PBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 7.2A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFBE20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 7.2A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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IRFBE20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 19092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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