| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 1.61 EUR |
| 115+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
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Technische Details IRFBE20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFBE20PBF nach Preis ab 1.17 EUR bis 5.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFBE20PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 18205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBE20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFBE20PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 97+ | 1.81 EUR |
| 110+ | 1.56 EUR |
| 115+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| IRFBE20PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.94 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 143+ | 1.5 EUR |
| IRFBE20PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 18205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.19 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 2000+ | 1.17 EUR |
| IRFBE20PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.76 EUR |
| 50+ | 2.88 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| IRFBE20PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)